MOS存貯器-隨機(jī)存取貯器（RAM）結(jié)構(gòu)和讀寫過程的特征

在MOS集成電路中，可以根據(jù)電路的復(fù)雜程度和每個(gè)芯片所含的元件多少，分為小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路。一般認(rèn)為，每芯片含有100個(gè)元件以下，為小規(guī)模集成電路；100~1000個(gè)元件為中規(guī)模集成電路；1000個(gè)元件以上的為大規(guī)模集成電路；10萬個(gè)元件以上為超大規(guī)模集成電路。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。

在MOS大規(guī)模集成電路領(lǐng)域中，最有重要地位的是存貯器，如由移位寄存器組成的串行存貯器、隨機(jī)存取存貯器（RAM）、只讀存貯器（ROM）和可編程序只讀存貯器等幾種類型。與MOS器件的基本結(jié)構(gòu)形式相似的電荷耦合器件（CCD），由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，目前發(fā)展速度極為迅速，已成為大規(guī)模集成電路的新秀。

本章主要介紹MOS存貯器中的隨機(jī)存取存貯器、只讀存貯器及電荷耦合器件的工作原理和電路結(jié)構(gòu)。

MOS存貯器

MOS存貯器是一種能存取邏輯信息的功能部件，大量的存貯器便可組成存貯系統(tǒng)，它是各種類型電子計(jì)算機(jī)的主要組成部分之一，也廣泛地被其它電子技術(shù)所采用。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram它好象人的大腦皮層一樣,，能把計(jì)算機(jī)工作所需的指令及運(yùn)算的數(shù)據(jù)存貯起來，或者按需要取出。存貯器的需求是大量的，它的性能優(yōu)劣，直接影響著電子計(jì)算機(jī)的水平。

一、隨機(jī)存取存貯器（RAM）

隨機(jī)存取存貯器（RAM），由許多存貯單元組成，它的每一個(gè)存貯單元，都可按一定要求的順序，存入或取出所需的二進(jìn)制信息。MOS隨機(jī)存取存貯器有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。動(dòng)態(tài)RAM 具有功耗低、集成度高、速度快的優(yōu)點(diǎn)；靜態(tài)RAM性能穩(wěn)定，使用方便。

一個(gè)完整的MOS存貯器系統(tǒng)，應(yīng)包括存貯陣列、地址寄存器、地址譯碼器、讀/寫驅(qū)動(dòng)器、再生放大器、讀/寫控制、數(shù)據(jù)寄存器，時(shí)序脈沖發(fā)生器等部件，如圖4-1所示。

下面我們將著重介紹存貯器中存貯單元的結(jié)構(gòu)及其存貯原理，并結(jié)合工作原理簡(jiǎn)要介紹幾個(gè)典型存貯器的完整結(jié)構(gòu)，以便對(duì)隨機(jī)存取存貯器有個(gè)完整的了解。

1、靜態(tài)MOS存貯單元

（1）單溝道六管靜態(tài)存貯單元

圖4-2為六管靜態(tài)存貯單元，它是靜態(tài)MOS RAM陣列中的一個(gè)最小重復(fù)單元，可以存貯“1”或“0”兩種信1os息。靜態(tài)MOS存貯單元本質(zhì)上是個(gè)觸發(fā)器，它是由兩個(gè)相互反饋的倒相器構(gòu)成。,MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram為了能夠讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)，在基本觸發(fā)器的兩個(gè)輸出端分別連接了兩個(gè)受讀/寫位線D寫控制的耦合器件，作為門控管，這兩個(gè)門控管的柵與字線連接。觸發(fā)器通過門控管與位線耦合。在讀寫過程中，首先要在字線上加尋址脈沖，使某一單元被選中。下面介紹它的讀/寫過程。

①寫入 當(dāng)這一單元被選中（即在字線W上加“1”脈沖），使導(dǎo)通。若要將“1”寫入單元，就要在D線上加“1”電平，在線上加“0”電平，使截止，導(dǎo)通，即“1”被寫入單元。若要寫“0”，只要在D線上加“0”電平，在線上加“1”電平，使導(dǎo)通，截止，這時(shí)“0”就被寫入單元。

當(dāng)單元被寫入“1”或“0”以后，字選擇脈沖過去，使關(guān)閉，被寫入基本觸發(fā)器的“1”或“0”將長(zhǎng)期穩(wěn)定下來。

②讀出 當(dāng)單元中存的信息要讀出時(shí)，首先使這一單元被選中，使導(dǎo)通。若單元中存的是“1”，則導(dǎo)通，截止，位線經(jīng)接地。因直接與讀出放大器相接，這樣，地電位被接至讀出放大器，以電壓的形式讀出。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram當(dāng)然也可用電流的形式讀,出，因?yàn)?/span>導(dǎo)通接地，就有一股電流通過讀出放大器到地，這一電流被讀出放大器感覺而鑒別出來，就表示單元中存著“1”信息。如果不導(dǎo)通，就無電流通過，表示單元中存的是“0”。

（2）CMOS六管靜態(tài)存貯單元

利用兩個(gè)OMOS倒相器相互耦合，并加以適當(dāng)?shù)鸟詈掀骷憬M成CMOS結(jié)構(gòu)的靜態(tài)存貯單元，如圖4-3所示。其中為兩個(gè)耦合門管。

由于N溝道器件的開啟電壓比較低，而且載流子的遷移率大，因此耦合器件多采用N溝道MOS管。

用CMOS結(jié)構(gòu)組成存貯單元，具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：

①功耗低 每位靜態(tài)功耗約為10nW，僅在轉(zhuǎn)換的動(dòng)態(tài)過程中才消耗有限的一點(diǎn)功耗。

②采用單一工作電源 電源電壓的變化范圍較大，在3~16V之間都可以工作。

③抗干擾性能強(qiáng) 可達(dá)到50%的。

其缺點(diǎn)是集成度較單溝道MOS存貯單元低。

2、動(dòng)態(tài)MOS存貯單元

靜態(tài)存貯單元管子數(shù)多，單元占用面積較大，不利于大容量存貯器的發(fā)展。為了縮小單元面積，提高集成度，發(fā)展了動(dòng)態(tài)四管、三管和單管單元。下面就分別介紹這些動(dòng)態(tài)存貯器的結(jié)構(gòu)和工作原理。

（1）四管動(dòng)態(tài)存貯器

動(dòng)態(tài)存貯器是靠節(jié)點(diǎn)電容上的電荷暫存效應(yīng)存貯信息的。它的工作是在時(shí)鐘脈沖控制下進(jìn)行的。由于電容存貯電荷的時(shí)間不能太長(zhǎng)，所以要求定期對(duì)所存貯的信息進(jìn)行刷新。

①存貯單元

圖4-4（a）中四管組成四管動(dòng)態(tài)存貯單元，其中為存貯管，管為門控管，從形式上看是六管單元省掉了兩個(gè)負(fù)載管。當(dāng)單元未被選中，和截止，存貯單元處于維持狀態(tài)，信息存在的柵節(jié)點(diǎn)電容上。

②讀寫原理

存貯單元的讀寫分為寫入“1”、寫入“0”和讀出三個(gè)部分。

a.寫入“1”當(dāng)字選擇線上為“1”電平，使導(dǎo)通，并分別在數(shù)據(jù)線D上加“1”電平，在線上加“0”電平，于是就被充電，使導(dǎo)通，而通過導(dǎo)通的對(duì)地放電，使截止。這樣“1”就存入單元（即）。

b.寫入“0”情況與寫“1”相似，當(dāng)字選擇脈沖來到后，只要在線上加“1”，D線上加“0”。這時(shí)被充電，導(dǎo)通；通過對(duì)地放電，使截止。于是“0”就被寫入單元。

0.讀出 在讀操作時(shí)，先使數(shù)據(jù)線D和都為1。當(dāng)單元被選中后，若原來存貯單元中存的“1”，由于導(dǎo)通，將有電流從線經(jīng)到地，這個(gè)電流可用讀出放大器檢出。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。而是截止的，和數(shù)據(jù)D線回路沒有電流流過，所以D線仍保持“1”電平，而同時(shí)經(jīng)對(duì)充電，使信號(hào)得以刷新，恢復(fù)原來漏去的電荷。

若原存信號(hào)為“0”則結(jié)果與上述相反，最后使D=0，，如圖4-4（b）所示。

從動(dòng)態(tài)四管單元的分析可以看出，在讀操作過程中，同時(shí)也存在刷新過程。

③存貯器全圖

為了讓大家對(duì)隨機(jī)存取存貯器的工作有個(gè)完整的概念，下面介紹1024位動(dòng)態(tài)RAM的完整結(jié)構(gòu)及其工作原理。圖4-5所示的1024位RAM是用硅糖N溝工藝制成，存貯陣列是由四管動(dòng)態(tài)單元組成，它的組成情況如下：

a.存貯矩陣 由32行×32列存貯單元構(gòu)成，其容量為1024字×1位。存貯矩陣同一行所有單元的字選擇線都連在一起，共32條選擇線，分別接譯碼器的輸出端。同一列所有單元的數(shù)據(jù)線連在一起，通過列數(shù)據(jù)線（即位線）上的門管、...等與數(shù)據(jù)總線相聯(lián)，數(shù)據(jù)線上的門管由選擇線控制，當(dāng)某一選擇線處于“1”電平時(shí)，數(shù)據(jù)線就和數(shù)據(jù)總線接通。

b.預(yù)充電管 每列數(shù)據(jù)線上都有預(yù)充電管，如第一列上的管。預(yù)充電管的電源電壓是。預(yù)充電管的柵極由時(shí)鐘脈沖控制。當(dāng)時(shí)，導(dǎo)通，使各數(shù)據(jù)線都充電到。

C.地址譯碼緩沖器 地址緩沖器共有十個(gè)，方向和方向各五個(gè)，如圖4-5（b）所示。

地址譯碼緩沖器的輸出端分別與譯碼器的輸入端相聯(lián)，譯碼器的輸入端為和，譯碼器的輸入端為和。緩沖器正常工作需要兩相時(shí)鐘脈沖和控制。當(dāng)時(shí)，和導(dǎo)通，使輸出和都為“0”。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。由于地址緩沖器的輸出分別接地址譯碼器的輸入端，因此，全部地址輸入均為“0”。當(dāng)過后，脈沖到來，使導(dǎo)通，于是根據(jù)輸入，地址譯碼緩沖器才有相應(yīng)的和輸出，地址譯碼器也就有相應(yīng)的輸入。

d.讀寫電路 各列數(shù)據(jù)線通過列線的選通門管與數(shù)據(jù)總線相聯(lián)，數(shù)據(jù)總線又通過片選控制門管與片外的數(shù)據(jù)（入/出）線聯(lián)通。當(dāng)導(dǎo)通，就可對(duì)選中的單元進(jìn)行讀寫。如果，數(shù)據(jù)輸入、輸出線與整個(gè)存貯器的數(shù)據(jù)總線隔斷，不能進(jìn)行讀寫。

e.譯碼器和驅(qū)動(dòng)器 譯碼器的每條輸出線都要控制32個(gè)存貯單元的64個(gè)傳輸管，電容很大，所以需要驅(qū)動(dòng)器。驅(qū)動(dòng)器由MOS管和電容組成，連接在管的柵、漏之間，稱為自舉電容，其結(jié)構(gòu)如圖4-5（c）所示。這是一個(gè)雙值電容。當(dāng)時(shí)，因反型層溝道與漏極聯(lián)通，所以電容很大；當(dāng)時(shí)，只有柵、漏之間的覆蓋電容，接近于零。驅(qū)動(dòng)管的漏極接地址選通脈沖當(dāng)時(shí)，被選通的一路雖然導(dǎo)通，但是存貯矩陣的“字”選擇線仍為“0”電平，所以單元仍沒有被選通。只有當(dāng)時(shí)，被選中的一行的“字”選擇線才為高電平。由于自舉電容的存在，當(dāng)由“0”升為“1”時(shí)，驅(qū)動(dòng)管的柵極電位也同時(shí)上升，使的導(dǎo)通電阻變得很小，所以驅(qū)動(dòng)能力很大，能使字選擇線很快充電，位線的傳輸管很快導(dǎo)通，所以對(duì)提高速度有利。

整個(gè)RAM要用三組電源電壓；，襯底反偏電壓。還有三相時(shí)鐘脈沖和是片選脈沖，它們的高電平為12V，低電平小于0.5V。

下面我們來介紹它的讀、寫和刷新操作；

a.寫入 寫入開始，時(shí)鐘脈沖先到來。在時(shí)，片選脈沖都保持

“0”。在作用下，地址緩沖器的輸出都為“0”，譯碼器的輸入都為低電平，輸出均為高電平。另一方面，32列的數(shù)據(jù)線都充電到高電平。當(dāng)脈沖結(jié)束后，由于漏電流很小，位線上的電位保持不變。

當(dāng)由“1”轉(zhuǎn)為“0”，開始到來。此時(shí)根據(jù)地址緩沖器的輸入情況，決定各個(gè)地址緩沖器的輸出。地址緩沖器的輸出是與地址譯碼器的輸入相聯(lián)的，結(jié)果使得地址譯碼器和地址譯碼器的輸出線中各有一根被選中。例如地址碼為0000000000，則32個(gè)譯碼器中僅第一個(gè)輸出為高電平，其它全為低電平。同時(shí)32個(gè)譯碼器中僅使第一對(duì)位線上的門控管導(dǎo)通，其它都截止。

當(dāng)過后，接著和片選信號(hào)到來，使門管導(dǎo)通。要寫入的數(shù)據(jù)送到輸入/輸出線上。如果要寫“1”，則在輸入/輸出線D上加“1”電平，在線上加“0”電平。由于地導(dǎo)通，數(shù)據(jù)便通過數(shù)據(jù)總線與被選中的一系列數(shù)據(jù)線聯(lián)通，寫入被選中的第一行第一列單元。

b.讀出 讀出操作時(shí)，使輸入端和都是高電平。當(dāng)和為“1”時(shí)，被選中的單元與數(shù)據(jù)線聯(lián)通后，與單元中通導(dǎo)的管子相聯(lián)的數(shù)據(jù)線就有電流流過。例如導(dǎo)通時(shí)，則D線上有電流通過；如導(dǎo)通，則萬線上有電流通過，這個(gè)電流通過總線外的讀出放大器放大后，可鑒定該單元是“0”還是“1”。

c.刷新 大家知道，存貯器在讀出過程中，同時(shí)具有“刷新”的功能。當(dāng)讀出時(shí)，同一字線上其它沒有被選中的存貯單元，它們的位線沒有與數(shù)據(jù)總線接通，所以位線上預(yù)充電管（如）要通過導(dǎo)通的門控管對(duì)單元進(jìn)行“刷新”，以補(bǔ)充柵電容上漏去的電荷。存貯器還有專門“刷新”操作，是定時(shí)地一行、一行進(jìn)行的。它的方法和讀出操作一樣，只是不要加片選信號(hào)。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。刷新過程是逐行進(jìn)行的。在一個(gè)刷新周期內(nèi)，需要刷新32行。刷新一行所需的時(shí)間大致等于讀出周期時(shí)間，為了不使存貯的內(nèi)容丟失，必須定期刷新，例如每隔2ms刷新一次，在刷新時(shí)間內(nèi)不能進(jìn)行讀寫。

圖4-6（a）、（b）分別是存貯器的寫入和讀出的工作時(shí)序圖。其中是預(yù)充電時(shí)鐘脈沖寬度，它要保證在數(shù)據(jù)線上建立穩(wěn)定的5V電平。這取決于圖4-5中四管的導(dǎo)通電阻和數(shù)據(jù)線的分布電容。為地址碼的脈沖寬度，它要保證沒有被選中的譯碼器輸出端高電平放電到零。這取決于譯碼器輸入管的等效時(shí)間常數(shù)。是時(shí)鐘。和片選信號(hào)的脈沖寬度，這是使被選字線上門控管和片選管充分導(dǎo)通后，輸入的數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)線上建立穩(wěn)定電平，并使存貯單元變成寫入所要求的穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間。如果是讀出，則保證讀出數(shù)據(jù)電流在輸出端穩(wěn)定出現(xiàn)的時(shí)間。前者取決于管的導(dǎo)通電阻，數(shù)據(jù)線分布電容和存貯單元觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn)時(shí)間；后者取決于這些管子的導(dǎo)通電阻。

表示存貯器速度的時(shí)間參數(shù)有：訪問時(shí)間（取數(shù)時(shí)間）和循環(huán)時(shí)間。訪問時(shí)間是指從地址碼輸入到有效數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間。它包括地址譯碼器的延遲以及片選信號(hào)加入后在讀出電路上的延遲。循環(huán)時(shí)間指存貯器完成一定操作的基本時(shí)間周期，故也稱循環(huán)周期。所謂一定的操作，是指進(jìn)行讀出-寫入或?qū)懭胍蛔x出時(shí)的各種操作。循環(huán)周期是指上述各種操作中最長(zhǎng)的。圖4-6中的表示完成了寫入后再進(jìn)行下一操作的周期，而表示完成了讀出后再進(jìn)行下一操作的周期。循環(huán)周期由二者中大的一個(gè)決定。

（2）三管動(dòng)態(tài)存貯器

①三管存貯單元 

三管單元的存貯器是目前應(yīng)用最廣泛的存貯器。存貯單元有三種不同的形式：

a.單元 這是一種最基本的三管單元線路，如圖4-7（a）所示，它由三個(gè)管子、兩根讀寫選 擇線和兩根讀寫數(shù)據(jù)線以及一根地線組成。其中是存貯管；為讀出控制管，是寫入控制管。信息就存貯于管的柵極節(jié)點(diǎn)電容上，若兩端存貯信號(hào)1”，則導(dǎo)通，若兩端存貯信息為“0”，則截止。

b.單元 這由三個(gè)MOS管和兩根讀寫選擇線及一根數(shù)據(jù)線組成，如圖4-7（b）所示。其中的作用與上面單元相同。由于把兩根數(shù)據(jù)線合并成一根，故可以減小面積提高集成度。但是由于寫入和讀出數(shù)據(jù)僅用一根線，故需要增加讀寫控制電路。

c.單元 圖4-7（c）是這個(gè)單元的電路。從圖中看到，讀寫選擇線合為一條，其余與單元相同。

下面我們以存貯單元為例（圖4-8），來說明它的工作原理。

②存貯單元工作原理

a.讀出過程 讀出前，首先要加預(yù)充電脈沖，使么導(dǎo)通，對(duì)讀出線預(yù)充電，使它保持“1”電平（VDD），接著讀出選擇線將單元選通，使導(dǎo)通。若柵電容上存的信號(hào)為1”，處于導(dǎo)通狀態(tài)，于是，讀出線通過放電至“0”電平（）；若上存貯的信息為“0”，則截止，讀出線到地沒有通路，所以讀出線保持原來的“1”電平。這兩種不同的信息電平，通過讀出放大器檢出。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。但必須注意，讀出的信息與單元中存貯的信息是相反的。

b.刷新過程 電路的刷新過程，首先是將單元中存貯的信息讀出來，經(jīng)過刷新放大器放大后，再重新寫入單元，其過程如下：

首先加預(yù)充電脈沖P，使導(dǎo)通，使寫入線預(yù)充圖電至，接著，重復(fù)上述的讀出過程。讀出過程結(jié)束，讀出線上出現(xiàn)與單元存貯信息相反的電平。其中管由讀出線上的電平控制。若讀出線為“1”電平，則導(dǎo)通，加上刷新控制脈沖，使導(dǎo)通，寫入線就通過。放電至“0”，當(dāng)寫選擇線被選通后，使導(dǎo)通，寫入線上的“0”信號(hào)就重新寫入到節(jié)點(diǎn)電容上。若原存信息為“1”，則讀出線為“0”，使截止，加了R脈沖后，寫入數(shù)據(jù)線從沒有通路，所以寫入線保持“1”電平。當(dāng)寫選擇線被選通后，導(dǎo)通，“1”信號(hào)就重新寫入單元，存于柵電容上。其中的是刷新放大器。從上面分析看到，信息經(jīng)過讀出和放大，兩次反相，所以刷新寫入的信息正好與原存貯器的信息同相。

c.寫入過程 首先，要重復(fù)上述的讀出刷新過程，等上述過程結(jié)束，給一個(gè)寫入脈沖W，使讀出線接地電位，使刷新放大器的截止，再把要寫入的信息由寫入線送入單元。

單元存貯信息的讀出、刷新和寫入，是被預(yù)充電脈沖選擇脈沖、刷新控制脈沖R和寫入脈沖W所控制的，顯然，這些控制脈沖必須保持嚴(yán)格的時(shí)序，以保證單元正確地工作。若控制脈沖的時(shí)序發(fā)生混亂，讀出和寫入就發(fā)生混亂，這是這種三管單元存貯器的一個(gè)缺點(diǎn)。

（3）單管動(dòng)態(tài)存貯器

單管動(dòng)態(tài)存貯器存貯單元的器件數(shù)目是最少的，因此可以獲得較高的集成度。在4K位以上的RAM中，幾乎都采用單管線路。它是大規(guī)模和超大規(guī)模RAM發(fā)展的主要形式。圖4-9為單管動(dòng)態(tài)存貯器的部分電路圖。虛線包圍的部分即為單管存貯單元。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。它是由一個(gè)MOS管和電容組成。作為門控管控制數(shù)據(jù)的進(jìn)出，它的柵接讀寫選擇線（字線），的一端接數(shù)據(jù)線，另一端接存貯電容的數(shù)值應(yīng)較大，要專門制作。為位線上的雜散電容。存貯單元的讀寫過程如下：

①寫入 當(dāng)行、列譯碼器選址后，導(dǎo)通，接著施加寫入控制脈沖導(dǎo)通，加在線上的數(shù)據(jù)通過管以電荷的形式寫入存貯單元。

②讀出 行、列譯碼器尋址后，導(dǎo)通，由于此時(shí)截止。存于電容上的電荷就通過MOS晶體管輸出，同時(shí)向位線上的雜散電容O2充電。如果位線上的電容足夠小，并滿足的話，讀出數(shù)值受到的影響較小，就可被讀出放大器檢出，通過輸出。

實(shí)際上，由于上的電荷要給再分配，會(huì)造成讀出時(shí)的損失。下面，我們將定量分析一下讀出時(shí)信息的損失情況與存貯電容、位線分布電容的關(guān)系。

如果單元存貯信息“1”電平為，位線預(yù)充電的中間電平為，那么讀出前，在電容上的電荷撒分別為。讀出后，位線或在存貯電容的節(jié)點(diǎn)上將得到平衡后的“1”電平，這時(shí)上的電荷量分別為。根據(jù)讀出前后在上的電荷相等，所以讀出后的平衡電平為：

若單元存貯的信息為“0”，按同樣的道理，可寫出讀出后的平衡電平為：

從（4-1）（4-2）兩式看到，若。但是位線分布電容與每列的存貯位數(shù)成正比關(guān)系，存貯位數(shù)愈大，就愈大。由于位線還連接著讀出放大器，因此還包括讀出放大器的輸出和輸入電容，所以實(shí)際不可能比小。但是，為了盡可能縮小單元面積，提高集成度，不可能做得很大。因此讀出電壓將比存貯電容兩端的電壓下降很多，致使讀出信號(hào)非常微弱，而且存貯電容上的電荷每讀出一次，就要減少一些，造成存貯信號(hào)的破壞。MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器ram。為了能保證存貯器正常工作，以便讀出微弱信號(hào)，必須有一個(gè)高靈敏度的讀出放大器，在每一列中有一個(gè)再生放大器，以補(bǔ)償讀出時(shí)破壞的數(shù)據(jù)。所以設(shè)計(jì)高靈敏度的再生放大器，是單管單元存貯器的關(guān)鍵。

與其它動(dòng)態(tài)存貯器一樣，單管單元存貯器也要進(jìn)行刷新操作。其過程是這樣的：當(dāng)行、列譯碼器選址后，施加刷新控制脈沖，使導(dǎo)通，存于上的信息經(jīng)高靈敏度讀出放大器放大，再經(jīng)重新寫入存貯單元。圖4-10為采用硅柵工藝制作的單管存貯單元結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中看到，傳輸管的源擴(kuò)散區(qū)與位線共用，存貯電容由接的硅棚造成的反型PN結(jié)和硅柵電容組成。這樣既節(jié)省了面積，增大了，又減小了位線節(jié)點(diǎn)電容。

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