MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate 場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G （這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿） 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1） Drain-》Source穿
MOSFET的擊穿有哪幾種？ Source、Drain、Gate 場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G （這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿） 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1） Drain-》Source穿
摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計者最擔心的問題。炸機、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切其實都和SOA有關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至
摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計者最擔心的問題。炸機、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切其實都和SOA有關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至
MOS管工作原理動畫 絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應管大得多，可達1010Ω以上，還因為它比結(jié)型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時溫度簡單，而廣泛應用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場效應管相同，MOS管工作原理動畫示意圖也有N溝道和P溝道兩類，但每一類又分為增強型和耗盡型兩種
MOS管工作原理動畫 絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應管大得多，可達1010Ω以上，還因為它比結(jié)型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時溫度簡單，而廣泛應用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。與結(jié)型場效應管相同，MOS管工作原理動畫示意圖也有N溝道和P溝道兩類，但每一類又分為增強型和耗盡型兩種
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個
防反接保護電路 通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。 如下圖1所示：圖1 一只串聯(lián)二極管保護系統(tǒng)不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降。 這種接法簡單可靠，但當輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達到2A,如選用Onsemi的快速恢復二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
防反接保護電路 通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。 如下圖1所示：圖1 一只串聯(lián)二極管保護系統(tǒng)不受反向極性影響，二極管有0.7V的壓降。 這種接法簡單可靠，但當輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達到2A,如選用Onsemi的快速恢復二極管 MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？下面我們就來了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！什么是 MOS 管？場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？下面我們就來了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧！什么是 MOS 管？場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS 管）。MOS 管即 MOSFET，中文
MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。 對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的
MOS管驅(qū)動設(shè)計一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。 對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS
槍溫度調(diào)試，把風槍調(diào)到 320 度，風速 1 檔，MOS 管屬于小型玻璃管 ， 容易夾裂，所以在拆的時候一定要小心 ， 撬的時候用力一定輕 ， 要顧及周圍的元器件不能碰到 ， 如果有帶膠的芯片需要避開 ， 吹的過程中風槍不能停留太久。二、撬 MOS 管的時候要用鋒利一點的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上帶一點力度 ， 風槍一直對著吹 ， 待錫剛?cè)诨瘯r MOS 管會自然脫落。三、
槍溫度調(diào)試，把風槍調(diào)到 320 度，風速 1 檔，MOS 管屬于小型玻璃管 ， 容易夾裂，所以在拆的時候一定要小心 ， 撬的時候用力一定輕 ， 要顧及周圍的元器件不能碰到 ， 如果有帶膠的芯片需要避開 ， 吹的過程中風槍不能停留太久。二、撬 MOS 管的時候要用鋒利一點的刀片 ， 把刀片放在 MOS 管下面 ， 用手指往上帶一點力度 ， 風槍一直對著吹 ， 待錫剛?cè)诨瘯r MOS 管會自然脫落。三、
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號英泰科匯廣場2棟1902
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